Эта публикация цитируется в 2 статьях

Одиннадцатая международная молодежная научная школа "Когерентная оптика и оптическая спектроскопия"

Индуцированная фотопроводимость в широкозонных диэлектрических кристаллах, активированных ионами Ce$^{3+}$

Л. А. Нуртдинова^a, Я. Гюйо^b, А. С. Низамутдинов^a, В. В. Семашко^a, А. К. Наумов^a, С. Л. Кораблева<sup>a

a</sup> Научно-исследовательская лаборатория магнитной радиоспектроскопии и квантовой электроники, Физический факультет Казанского государственного университета
^b Лаборатория "Физическая химия люминесцентных материалов" Университета Лион-1 им. Клода Бернара

Аннотация: Проведены спектроскопические исследования и измерения фотопроводимости, индуцированной ультрафиолетовым излучением накачки, фторидных диэлектрических кристаллов структуры шеелита, активированных ионами Ce$^{3+}$. Установлено, что переход из возбужденного 5d-состояния иона Ce$^{3+}$, вероятно, происходит на состояние 6s-конфигурации, а не непосредственно в зону проводимости матрицы-основы, как это считалось ранее.

Ключевые слова: фотопроводимость, межконфигурационные переходы, поглощение из возбужденного состояния.

УДК: 537.9

Поступила в редакцию: 12.02.2008