Физика

Получение и исследование физических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников в системе Ge–Se–Te–As

В. Ш. Заргарян

Ереванский государственный университет

Аннотация: Синтезирован ряд составов из области стеклообразовання системы Ge–Se–Te–As, получены тонкие (до 2 мкм) пленки этих составов и исследованы их электрофизические свойства. Показано, что в этой системе все пленки обладают свойствами "памяти" и что германий является компонентой, ответственной за изменение проводимости.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.02.1984
Принята в печать: 12.10.1984