Эта публикация цитируется в 17 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы.

PACS: 81.05.ue, 81.10.-h, 85.30.-z

Поступила: 4 сентября 2018 г.
Доработана: 1 октября 2018 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2018 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2019, 62:8, 754–794

Реферативные базы данных:

• 
• 
• 
•