Эта публикация цитируется в 9 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Горячие электроны в оксиде кремния

В. А. Гриценко<sup>abc

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Аморфный оксид кремния $\rm SiO_2$ является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле $\rm SiO_2$ превышает $10^7$ В/см. В сильных электрических полях в $\rm SiO_2$ разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях ($10^4 - 10^6$ В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >$10^6$ В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы.

PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx

Поступила: 2 сентября 2016 г.
Доработана: 7 декабря 2016 г.
Одобрена в печать: 8 декабря 2016 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2017, 60:9, 902–910

Реферативные базы данных:

• 
• 
• 
•