Эта публикация цитируется в 37 статьях

МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Физическая кинетика движения дислокаций в немагнитных кристаллах: взгляд через магнитное окно

В. И. Альшиц^a, Е. В. Даринская^a, М. В. Колдаева^a, Р. К. Котовский^b, Е. А. Петржик^a, П. Трончик<sup>b

a</sup> Федеральный научно-исследовательскиий центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, г. Москва
^b Polish-Japanese Academy of Information Technology, Warsaw

Аннотация: Обсуждены новые закономерности кинематики магнитопластичности, установленные на основе физических экспериментов и компьютерного моделирования. Рассмотрено движение дислокаций через случайную сетку точечных дефектов под действием магнитного поля, переключающего примесные центры в состояние с пониженной силой пиннинга. Наряду с измеренными характеристиками, впервые изучены скрытые параметры движения, доступные лишь в компьютерных экспериментах. Показано, что распределение стопоров на дислокации не зависит от их концентрации $C$, а их среднее число и критическая сила отрыва дислокации пропорциональны $\sqrt {C}$. Предложена модель, в рамках которой впервые удалось объяснить наблюдаемую зависимость средней скорости дислокаций в магнитном поле: $v\propto 1/\sqrt {C}$. Из модели следует что существует скрытый резерв увеличения скорости $v$ на несколько порядков, — последнее уже реализовано в кристаллах NaCl при дополнительном воздействии на них слабого электрического поля.

Ключевые слова: магнитопластический эффект, дислокация, примесный дефект, центр пиннинга, магнитное поле, электрическое поле, компьютерное моделирование.

PACS: 07.05.Tp, 61.72.-y, 62.20.-x

Поступила: 20 июня 2016 г.
Одобрена в печать: 28 июля 2016 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2016.07.037869

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2017, 60:3, 305–318

Реферативные базы данных:

• 
• 
• 
•