Эта публикация цитируется в 66 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев

Институт физики полупроводников СО РАН

Аннотация: Гетероструктуры Ge_xSi_1–x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе Ge_xSi_1–x/Si, в частности, обсуждается использование "податливых" и "мягких" подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.+z

Поступила: 18 октября 2000 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2001, 44:7, 655–680

Реферативные базы данных:

• 
•