Эта публикация цитируется в 1 статье

К 90-летию ИНСТИТУТА ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ имени П.Л. КАПИЦЫ РАН. КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость туннельных структур сверхпроводник–изолятор–нормальный меалл–изолятор–сверхпроводник

С. А. Лемзяков^a, М. А. Тарасов^b, В. С. Эдельман<sup>a

a</sup> Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
^b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Дан обзор наиболее примечательных экспериментов, проведённых в ИФП РАН в кооперации с ИРЭ РАН, по влиянию миллиметрового облучения, температуры $T$ и магнитного поля $B$ на проводимость туннельных структур сверхпроводник – изолятор – нормальный металл – изолятор – сверхпроводник (СИНИС) при температурах $T \ll T_c$ и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток сравним или меньше подщелевого двухэлектронного андреевского тока. Установлено, что при облучении с энергией квантов $\hbar\omega \gg kT$ электронная подсистема в нормальном металле не достигает равновесия. При импульсном облучении получена оценка постоянной времени СИНИС-структур как детектора излучения на уровне единиц микросекунд. Исследовано воздействие магнитного поля на одноэлектронную и на андреевскую проводимость СИНИС.

Ключевые слова: туннельные переходы, структуры сверхпроводник—изолятор—нормальный металл—изолятор—сверхпроводник, андреевский ток, детекторы излучения миллиметрового диапазона, электронная температура, электрон-фононное взаимодействие, вихревая структура Абрикосова.

PACS: 07.57.-c, 74.45.+c, 85.25.Pb

Поступила: 18 декабря 2024 г.
Одобрена в печать: 18 декабря 2024 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2024.12.039844

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2025, 68:7, 711–716

Реферативные базы данных:

• 
• 
•