Эта публикация цитируется в 1 статье

К 270-летию МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА (МГУ) имени М.В. ЛОМОНОСОВА. ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Эффект увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии

Э. И. Рау, С. В. Зайцев

Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Аннотация: Обсуждены причины увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов (ОРЭ) на многослойных плёночных наноструктурах при их исследовании в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). Рассмотрены условия возникновения инверсии контраста их изображений. Впервые получено полное аналитическое выражение для сигнала, детектируемого в режиме ОРЭ в СЭМ, для многослойных наноструктур. Решение прямой и обратной задач, связывающих величины сигнала с композицией трёхмерного образца в зависимости от энергии зондирующих электронов, позволяет определять толщины и глубины залегания нанообъектов в массиве матрицы с большим пространственным разрешением. Основные расчёты в предлагаемой работе проведены по уточнённым эмпирическим формулам, соответствующим экспериментальным данным авторов или приведённым в цитированной литературе.

Ключевые слова: сканирующая электронная микроскопия, обратно рассеянные электроны, многослойные тонкоплёночные структуры, контраст изображений.

PACS: 68.37.-d, 68.37.Hk

Поступила: 7 июня 2024 г.
Доработана: 5 декабря 2024 г.
Одобрена в печать: 13 января 2025 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2025.01.039838

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2025, 68:4, 401–407

Реферативные базы данных:

• 
• 
•