МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Сверхизлучающий квантовый фазовый переход в полупроводнике при комнатной температуре: миф или реальность?

П. П. Васильев

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Рассматриваются условия и механизм возникновения нестационарного сверхизлучающего квантового фазового перехода в объёмном полупроводнике при комнатной температуре в режиме сильной связи. Проведён анализ экспериментальных данных и произведено сравнение характерных свойств этого фазового перехода с изученными ранее квантовыми фазовыми переходами в системах ультрахолодных газов в ловушках, в ансамблях квантовых точек, сверхпроводящих кубитах и некоторых других. Продемонстрировано, что все основные свойства обнаруженного ранее коллективного состояния, образованного в процессе индуцированной конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре, соответствуют картине сверхизлучающего фазового перехода, наблюдавшегося в других средах.

Ключевые слова: фазовый переход, сверхизлучение, сильная связь, фемтосекундные импульсы.

PACS: 42.50.Nn, 64.70.Tg, 73.43.Nq

Поступила: 7 мая 2024 г.
Доработана: 3 октября 2024 г.
Одобрена в печать: 9 октября 2024 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2024.10.039772

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2025, 68:5, 525–531

Реферативные базы данных:

• 
• 
•