ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

А. В. Галеева^a, А. С. Казаков^a, Д. Р. Хохлов<sup>ab

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость.

PACS: 72.40.+w, 78.20.-e, 78.56.-a

Поступила: 16 октября 2023 г.
Доработана: 20 ноября 2023 г.
Одобрена в печать: 2 декабря 2023 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610

 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2024, 67:10, 988–999

Реферативные базы данных:

• 
• 
•