Новая энергетика и современные технологии

Нелинейное пропускание теллурида цинка, индуцированное терагерцевыми импульсами с высокой напряженностью электрического поля

А. В. Овчинников, О. В. Чефонов

Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: В работе представлены новые экспериментальные данные о взаимодействии импульсов терагерцевого излучения с кристаллом теллурида цинка $\rm ZnTe$. Обнаружено, что с ростом напряженности электрического поля терагерцевого импульса коэффициент пропускания кристалла $\rm Zn Te$ увеличивается относительно его начального значения. Максимальное увеличение коэффициента пропускания наблюдается при напряженности поля $10$ МВ/см и достигает $\sim2.5$ раз.

УДК: 538.9

Поступила в редакцию: 09.06.2025
Исправленный вариант: 18.09.2025
Принята в печать: 16.09.2025

DOI: 10.7868/S3034610X25050111