Аннотация:
Исследованы температурные зависимости коэффициентов термического линейного расширения наноструктурированных низкотемпературных термоэлектрических материалов на основе $\rm Bi_2\rm Te_{2.8}\rm Se_{0.2}$ и $\rm Bi_{0.5}\rm Sb_{1.5}\rm Te_3$ и среднетемпературных термоэлектрических материалов на основе $\rm Bi_2\rm Te_{2.8}\rm Se_{0.2}$ и $\rm Bi_{0.5}\rm Sb_{1.5}\rm Te_3$. Наноструктурированные термоэлектрические материалы получали методом искрового плазменного спекания нанодисперсных порошков предварительно синтезированных материалов. Нанодисперсные порошки подготовлены с помощью планетарной шаровой мельницы. Измерена плотность и микротвердость наноструктурированных термоэлектрических материалов. Коэффициент термического линейного расширения измерялся в интервале температур $200$–$600$ К дилатометрическим методом в параллельном и перпендикулярном направлениях к оси прессования образцов термоэлектрических материалов. Коэффициент анизотропии термического линейного расширения составил $1.18$. Коэффициенты термического линейного расширения в интервале исследованных температур составили для $\rm Bi_2\rm Te_{2.8}\rm Se_{0.2}$ от $16.9 \times 10^{–6}$ до $17.3 \times 10^{–6}$ К$^{–1}$, для $\rm Bi_{0.5}\rm Sb_{1.5}\rm Te_3$ – от $15.3 \times 10^{–6}$ до $16.4 \times 10^{–6}$ К$^{–1}$, для $\rm Bi_2\rm Te_{2.4}\rm Se_{0.6}$ и $\rm Bi_{0.4}\rm Sb_{1.6}\rm Te_3 - (14.3 \pm 0.3) \times 10^{–6}$ К$^{–1}$. Коэффициенты термического линейного расширения для материалов $n$- и $p$-типа имеют близкие значения.
УДК:
621.793.3
Поступила в редакцию: 25.12.2024 Исправленный вариант: 26.02.2025 Принята в печать: 26.06.2025