Макромоделирование компонентов защиты от электростатического разряда с применением программного обеспечения с открытым исходным кодом

В. В. Кузнецов, В. В. Андреев, С. А. Ломакин

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Полупроводниковый диод и полевой транзистор с заземлённым затвором (GGMOS) часто используются в качестве элементов защиты от электростатического разряда (ЭСР) в схемотехнике КМОП ИМС. В статье представлена реализация макромоделей данных компонентов с использованием ПО для схемотехнического моделирования с открытым исходным кодом. Предложенные модели могут служить для моделирования воздействия ЭСР на ИМС. Подобное моделирование позволяет оценить стойкость ИМС к воздействию ЭСР на ранней стадии проектирования.

Ключевые слова: электростатический разряд, схемотехническое моделирование, компактные модели, импульс линии передачи.

DOI: 10.15514/ISPRAS-2025-37(3)-8