RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1124–1126 (Mi qe7018)

Краткие сообщения

Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком

О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. Ф. Певцов

Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва

Аннотация: Исследовано влияние времени травления твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с поперечной накачкой электронным пучком. Показано, что обработка поверхности образцов в слабом растворе аммиака позволяет примерно в 1,5 раза снизить пороговую плотность тока лазера с волноводной структурой резонатора при энергиях электронного пучка меньших 15 кэВ.

УДК: 621.375.826+621.315.59

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 08.10.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 672–673

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026