Получение и исследование гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP

Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев

Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР

Аннотация: Приведены методические особенности изготовления гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP на длину волны ~1550 нм и результаты исследования пороговых, спектральных и других характеристик гетеролазеров в диапазоне 1000–1590 нм. Приведена корреляция пороговых характеристик с энергией фотона для гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP. По спектру излучения и данным рентгеновского микроанализа установлено, что у границ гетеропереходов Ga_xIn_1–xP_1–yAs_y/InP (x = 0,09, y = 0,2) имеется переходной слой переменного состава, существенно влияющий на пороговые плотности тока.

УДК: 621.315.595

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.He

Поступила в редакцию: 16.07.1982

 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:12, 1568–1570

Реферативные базы данных:

•