Эта публикация цитируется в 10 статьях

Обзор

Пикосекундная оптоэлектроника

П. П. Васильев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Дан обзор общих принципов и современных достижений пикосекундной оптоэлектроники. Рассмотрены физические принципы, лежащие в ее основе – пикосекундная фотопроводимость полупроводников, электрооптический эффект в кристаллах и распространение электрических УКИ в СВЧ линиях передачи. Описаны элементная база пикосекундной оптоэлектроники и характеристики материалов, влияющие на быстродействие и чувствительность конкретных устройств. Значительное внимание уделено методам генерации оптических УКИ инжекционными лазерами. Приведены результаты экспериментов по изучению пикосекундных фотопроводников как излучателей электромагнитной энергии (диполей Герца) и исследованию электрооптического эффекта Вавилова–Черепкова. Описаны некоторые применения устройств пикосекундной оптоэлектроники в физических исследованиях, метрологии и сверхскоростных системах обработки информации.

УДК: 621.373.826

PACS: 85.60.-q, 42.65.Re, 01.30.Rr, 42.55.-f, 42.70.-a

Поступила в редакцию: 22.02.1988
Исправленный вариант: 12.10.1989

 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:3, 209–227

Реферативные базы данных:

•