Письма в редакцию

Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных AlGaAs/GaAs-лазеров спектрального диапазона 780 — 808 нмс электронными сверхрешеточными барьерами

В. В. Безотосный^a, П. В. Карга^a, Чанг Чен Де^b, Чанг Кви Лин^b, Гуан Хин Гуо<sup>b

a</sup> Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проанализирована модель AlGaAs/GaAs-лазера с многослойными интерференционными барьерами, используемыми для отражения электронных волн с целью увеличения ограничения носителей. Оптимизирована конструкция лазерной двойной гетероструктуры для спектрального диапазона 780 — 808 нм, имеющей электронные сверхрешеточные барьеры (ЭСБ), с раздельным ограничением электронов и фотонов. Методом эпитаксии из металлоорганических соединений при низком давлении изготовлены двусторонние гетероструктуры с раздельным ограничением на основе AlGaAs/GaAs, содержащие ЭСБ трех типов и обычные лазеры. На основе указанных гетероструктур изготовлены полосковые лазеры с диэлектрической изоляцией, имеющие ширину полоскового контакта 100 и 200 мкм. Для лазеров с ЭСБ получена минимальная плотность порогового тока 0.3 кА/см² и температурная константа Т₀ = 220 К при толщинах активного слоя 40нм и длине резонатора 0.4 — 0.5 мм. Для лазеров той же геометрии, не имеющих ЭСБ, минимальная плотность порогового тока составила 0.42 кА/см², а Т₀ была равна 160 К.

PACS: 42.55.Px, 78.66.Fd, 68.65.+g

 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:3, 200–202

Реферативные базы данных:

•