RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 4, страницы 242–248 (Mi qe18558)

К 45-летию Самарского филиала Физического института им. П.Н. Лебедева РАН

Особенности лазерного синтеза пористых керамополимерных композитов на основе ПВДФ

Е. Ю. Тарасоваa, И. И. Журавлёваb, И. А. Бакулинa, С. И. Кузнецовa, А. С. Панинa

a Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН, Россия, 443011 Самара
b Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева, Россия, 443086 Самара

Аннотация: Рассмотрены основные особенности метода лазерного спекания спрессованных керамополимерных порошковых материалов, позволяющего создавать композиционные пленки с высоким содержанием наполнителя и значительной открытой пористостью. Установлены границы значений параметров лазерного воздействия, при которых формируются композиционные пленки для керамополимерных композиций с различным фракционным составом керамики. Показано, что при использовании излучения с длиной волны 10.6 мкм возможно получение пленок толщиной от 50 до 150 мкм; излучение с длиной волны 1.06 мкм позволяет формировать только толстые слои в несколько сотен микрометров. При спекании излучением с длиной волны 1.06 мкм наблюдается выдавливание части керамического наполнителя на поверхность пор, а в случае использования излучения с длиной волны 10.6 мкм данный эффект практически отсутствует. Проведено исследование процессов термоокислительной деструкции поливинилиденфторида под воздействием лазерного излучения. Установлено, что в условиях неравновесного нагрева процессы межмолекулярного и внутримолекулярного дегидрофторирования, а также распад молекулярных цепей происходят одновременно; присутствие керамического наполнителя интенсифицирует данные процессы.

Ключевые слова: поливинилиденфторид, пористый керамополимерный композит, селективное лазерное спекание, термоокислительная деструкция.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 10.06.2025
Принята в печать: 26.06.2025


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 6, S646–S656


© МИАН, 2026