RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 2, страницы 123–127 (Mi qe18539)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Вандерваальсово взаимодействие щелочноземельных атомов в синглетных ридберговских состояниях

И. Л. Глуховa, А. А. Каменскийa, А. С. Корневa, Н. Л. Манаковa, В. Д. Овсянниковa, В. Г. Пальчиковbc

a Воронежский государственный университет, физический факультет, Россия, 304018 Воронеж
b Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Россия, 141570 Московская обл., Солнечногорск, р/п Менделеево
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Россия, 115409 Москва

Аннотация: Определены численные значения постоянной вандерваальсова взаимодействия C6 между атомами щелочноземельных элементов в синглетных ридберговских состояниях |n1S0⟩ с большими значениями главных квантовых чисел, n > 20. Результаты расчетов в рамках полуэмпирического метода теории квантового дефекта (ТКД) аппроксимированы квадратичными полиномами. Коэффициенты полиномов табулированы и могут быть использованы для упрощенных количественных оценок индуцированных межатомным взаимодействием энергетических сдвигов, определения радиуса блокады возбуждения ридберговских состояний, ограничений на длины волн излучений, создающих ридберговские решетки для атомов группы IIA. Определены численные значения вкладов различных двухатомных состояний в константу C6. Выделены состояния, обеспечивающие основной вклад, аналогичный вкладу фёрстеровского резонанса.

Ключевые слова: вандерваальсово взаимодействие, ридберговские атомы, щелочноземельные атомы, синглетные состояния.

Поступила в редакцию: 29.11.2024
Исправленный вариант: 26.03.2025
Принята в печать: 28.03.2025


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 5, S578–S584


© МИАН, 2026