Наноструктуры

Формирование ориентированных наностенок MoS₂ селективной лазерной абляцией и их свойства

А. Б. Логинов^a, Р. Р. Исмагилов^a, Н. Р. Арутюнян^bc, И. В. Сапков^a, Е. Д. Образцова^bc, А. Н. Чулков<sup>a

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Россия, 119991 Москва
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Россия, 119991 Москва
^c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Россия, 141700 Московская обл., Долгопрудный

Аннотация: Пленки, состоящие из массивов кристаллитов (наностенок) MoS₂, ориентированных перпендикулярно подложке, привлекают внимание исследователей как перспективный материал для создания устройств фотоники, оптоэлектроники и сенсорики. Дополнительное упорядочение структуры таких слоев посредством ориентации наностенок вдоль определенного направления в плоскости подложки позволяет создавать материалы с уникальными характеристиками. Для их формирования нами используется метод селективной лазерной абляции пленок MoS₂, сформированных осаждением из газовой фазы и состоящих из наностенок на поверхности кремниевых подложек. Определены параметры лазерного импульса, приводящие к возникновению максимальной степени упорядочения наностенок в пленке. Исследованы фотолюминесценция (ФЛ) и комбинационное рассеяние света (КРС), в том числе определена степень поляризации ФЛ и КРС-сигнала в зависимости от угла между выделенным направлением в плоскости пленки и поляризацией возбуждающего излучения. Выявлено, что определяющий вклад в оптические свойства таких пленок дают именно наностенки, а не подстилающая пленка. Обсуждаются возможные применения материалов, полученных с использованием метода селективной абляции, в фотонике.

Ключевые слова: двумерные материалы, дисульфид молибдена, лазерная абляция, анизотропные пленки.

Поступила в редакцию: 06.02.2025
Принята в печать: 11.03.2025

 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 7, S735–S745