Лазеры

Мощный лазер на кристалле CdSSe с длиной волны излучения 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке

В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Россия, 119991 Москва

Аннотация: Исследован лазер на монокристалле CdSSe с длиной волны 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке излучением Nd:YAP-лазера с модулированной добротностью. При охлаждении монокристалла до температуры жидкого азота достигнута пиковая мощность до 80 кВт при длительности импульса 7 нс и эффективности ∼3%. Полный угол расходимости лазера зависел от диаметра пятна накачки и составил примерно 30° при диаметре 1 мм. Мощность ограничена разрушением поверхности кристалла. Обсуждаются пути улучшения характеристик лазера.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, монокристаллы CdSSe, двухфотонная накачка, Nd:YAP-лазер с модулированной добротностью.

Поступила в редакцию: 10.03.2025
Исправленный вариант: 14.04.2025
Принята в печать: 25.04.2025

 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 7, S689–S698