К. С. Журавлев, А. В. Царев, Д. В. Гуляев, Е. А. Колосовский, В. С. Арыков, И. В. Юнусов, С. В. Ишуткин, А. А. Шейнбергер, “Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия”, Квантовая электроника, 55:1 (2025), 30

Квантовые технологии

Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия

К. С. Журавлев^ab, А. В. Царев^ab, Д. В. Гуляев^a, Е. А. Колосовский^a, В. С. Арыков^c, И. В. Юнусов^c, С. В. Ишуткин^c, А. А. Шейнбергер^c

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет, Россия, 630090 Новосибирск
^c Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050 Томск

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размерной структуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя из InGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ₀-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривых двух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.

Ключевые слова: электрооптический модулятор, фосфид индия, эффект Штарка, множественная квантовая яма, оптические потери.

Поступила в редакцию: 03.12.2024
Исправленный вариант: 03.03.2025
Принята в печать: 07.03.2025