RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 1, страницы 15–22 (Mi qe18524)

Активные среды

Моделирование высокоэнергетического наносекундного ВКР-лазера на кристалле BaWO4

Е. А. Пегановab, С. Н. Сметанинb, Н. А. Карповac, В. И. Самойловac, И. С. Макогонa, П. Д. Харитоноваb, А. Н. Бойкоad, И. А. Зуйковad, Л. И. Ивлеваb

a Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, Россия, 142092 Москва, Троицк
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Россия, 119991 Москва
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Россия, 115409 Москва
d Российский университет дружбы народов, Россия, 117198 Москва

Аннотация: Исследуется работоспособность широкоапертурного кристалла вольфрамата бария (BaWO4) как активной среды наносекундного лазера на вынужденном комбинационном рассеянии с рекордно высокой энергией импульсов выходного излучения уровня 1 Дж. Проведенные эксперименты показали высокую стойкость кристалла BaWO4 к лазерным импульсам с порогом лазерного разрушения 10 Дж/см2. Математическое моделирование ВКР-лазера при накачке лазером на неодимовом стекле (1053 нм, 6 Дж) показало эффективное преобразование энергии накачки в стоксовы компоненты с энергиями 1.8 (1167 нм), 1.7 (1214 нм) и 0.8 Дж (1265 нм) в оптическом резонаторе, выходным зеркалом которого является выходной торец ВКР-кристалла.

Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, высокоэнергетический ВКР-лазер, лучевая стойкость.

Поступила в редакцию: 24.10.2024
Исправленный вариант: 24.02.2025
Принята в печать: 24.02.2025



© МИАН, 2026