RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2024, том 54, номер 10, страницы 593–599 (Mi qe18480)

Лазеры

Неоднородное распределение усиления вдоль оси резонатора и эффективность генерации в диодном лазере

А. П. Богатовa, А. Е. Дракинa, Н. В. Дьячковa, Г. Т. Микаелянb

a Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Россия, 115409 Москва

Аннотация: На основе аналитического решения волнового уравнения выполнено моделирование ватт-амперных характеристик (ВтАХ) диодных лазеров Фабри – Перо, предназначенных для работы с высокой мощностью. Показано, что при высоком уровне выходной мощности наличие осевой неоднородности усиления не приводит к отклонениям от линейности этой характеристики. Только вблизи порога генерации найдено уменьшение эффективности с током накачки, связанное с переходом от однородного осевого распределения усиления к самосогласованному неоднородному распределению. Обнаружено, что при значительной осевой неоднородности концентрации электронов, зависящей от уровня мощности, полная оптическая длина резонатора остается постоянной.

Ключевые слова: диодные лазеры, насыщение усиления.

Поступила в редакцию: 14.11.2024
Исправленный вариант: 16.12.2024


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2025, 52:suppl. 3, S227–S237


© МИАН, 2026