Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество

Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе

Е. А. Климов^ab, А. Н. Клочков^c, П. М. Солянкин^d, А. С. Синько^de, А. Ю. Павлов^a, Д. В. Лаврухин^a, С. С. Пушкарёв^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, Россия, 117105 Москва
^b АО "НПО Орион", Россия, 111538 Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 115409 Москва
^d Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Россия, 123182 Москва
^e Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 119991 Москва

Аннотация: Выявлен эффект, оказываемый встроенным электрическим полем, которое возникает в упруго напряжённых множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs, на эффективность генерации терагерцевых импульсов при облучении фемтосекундными оптическими лазерными импульсами поверхности данных гетероструктур, а также фотопроводящих антенн на их основе. Встроенное поле возникает в результате пьезоэффекта в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами {InGaAs/GaAs}×10, выращенных на подложках GaAs с кристаллографическими ориентациями (110) и (111)А. Сравнивается терагерцевое излучение, полученное при одинаковых условиях возбуждения от плёнок с одинаковым составом, но выращенных на подложках с различными ориентациями. Наиболее интенсивное терагерцевое излучение получено от поверхности гетероструктуры {In_0.2Ga_0.8 As/GaAs}×10 на подложке GaAs (110). Среди фотопроводящих антенн наибольшей эффективностью терагерцевой генерации обладают антенны, изготовленные на гетероструктурах {In_0.2Ga_0.8As/GaAs}×10 с ориентациями (110) и (100). При этом влияние ориентации подложки, ярко проявляющееся при генерации терагерцевого излучения непосредственно поверхностью плёнок, гораздо слабее выражено для фотопроводящих антенн на этих же плёнках.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, InGaAs, пьезоэффект, встроенное поле, ориентация подложки (110), ориентация подложки (111)А, терагерцевое излучение, фотопроводящая антенна, фемтосекундный лазер.

Поступила в редакцию: 12.02.2024
Исправленный вариант: 21.03.2024