RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 29, номер 1, страницы 89–92 (Mi qe1605)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Взаимодействие импульсного излучения Nd:YAG-лазера с поверхностью в плоскости (001) кристалла ZnCdTe

Т. Майхжак, К. Рожняковский, Т. В. Войтатович

Institute of Physics Lodz University of Technology

Аннотация: Исследовано взаимодействие импульсного излучения Nd:YAG-лазера со смешанным кристаллом ZnxCd1–xTe (x = 0.47). Кристаллы были вырaщены методом направленного затвердевания. При взаимодействии лазерного излучения с таким кристаллом наблюдалось возникновение расплавленной области (кратера). Микротопография поверхности и микрорасслоение элементов на поверхности кристалла исследовались с помощью сканирующего электронного микроскопа и рентгеновского микроанализатора. Установлено, что в реальных условиях кратеры расплавленного вещества имели диаметры до 1 мм, в то время как расчеты на основе модели однофотонного поглощения дают максимальную температуру в зоне облучения, значительно меньшую точки плавления ZnxCd1 – xTe, что свидетельствует о необходимости учета двухфотонного поглощения. Изменений химического состава вещества кристалла в зоне облучения не наблюдалось. На поверхности расплавленного и затем затвердевшего вещества в кратере возникали солитоноподобные волны и кольцевая структура гранул, которая может быть интерпретирована как результат дифракции излучения в оптической системе.

PACS: 61.80.Ba, 68.35.Bs

Поступила в редакцию: 21.07.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:10, 927–930

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026