RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Прикладная математика & Физика // Архив

ПМ&Ф, 2024, том 56, выпуск 4, страница 314 (Mi pmf431)

ФИЗИКА. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Влияние ориентации монокристаллических игл NiSb на электропроводность монокристаллов композита (InSb)98:2 - (NiSb)1:8

В. С. Захвалинскийa, А. В. Борисенкоa, А. В. Машировb, А. В. Кочураc, Е. А. Пилюкa, В. В. Соболевd

a Белгородский государственный национальный исследовательский университет
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
c Юго-Западный государственный университет
d Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова

Аннотация: Целью работы является проведение исследования электропроводности композитных монокристаллов $(InSb)_(98.2) -- (NiSb)(1.8)$. Модифицированным методом Бриджмена были получены монокристаллы композита эвтектической системы $(InSb)_(98.2) -- (NiSb)(1.8)$. Используя сканирующий электронный микроскоп JSM-6610LV (Jeol), был определен состав и однородности распределения элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Определены интервалы прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка типа Эфроса – Шкловского (60 К – 126.1 К) и прыжковой проводимости по ближайшим соседям (88 К – 115 К) у образцов с разной ориентацией игольчатых включений $NiSb$.

Ключевые слова: InSb-NiSb, монокристалл, прыжковая проводимость, электрические свойства.

Поступила в редакцию: 30.12.2024
Принята в печать: 30.12.2024

DOI: 10.52575/2687-0959-2024-56-4-314-319



© МИАН, 2026