Аннотация:
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si выращены буферные слои GaAs толщиной от 1 до 5.3 $\mu$m. Показано, что плотность прорастающих дислокаций уменьшается до 4 $\cdot$ 10$^7$ cm$^{-2}$ с увеличением толщины буферного слоя GaAs до 5.3 $\mu$m. Среднеквадратичная шероховатость поверхности достигает наименьшего значения 2.2 nm при толщине буферного слоя GaAs 1.6 $\mu$m.
Полный текст:
PDF файл (1080 kB)