Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование прохождения СВЧ-сигнала субгигагерцевого диапазона в режиме бегущей волны через фотопроводящий полупроводниковый ключ, находящийся в режиме нелинейного усиления. Установлено, что формирование доменов сильного поля в ключе не приводит к значительному обострению проходящего киловаттного СВЧ-сигнала ($\sim$172 MHz) при поглощении в согласованной и короткозамкнутой нагрузке с уменьшением амплитуды СВЧ-сигнала от 733 до 598 V и от 463 до 342.5 V соответственно. Использование короткозамкнутой нагрузки величиной 42 m$\Omega$ приводит к искажению сигнала, но позволяет получить сигнал с переходом через ноль. Полученные результаты демонстрируют возможность использования фотопроводящего полупроводникового ключа для мощных импульсных СВЧ-устройств на высоких частотах.
Полный текст:
PDF файл (415 kB)