Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)

В. В. Лендяшова^ab, В. Г. Талалаев^a, Д. А. Кириленко^c, А. А. Калиничев^a, Т. Шугабаев^ab, В. А. Поздеев^b, А. С. Андреева^ab, И. В. Штром^d, Р. Р. Резник^ab, Г. Э. Цырлин^abcd, И. В. Илькив<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^d Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен результат синтеза слоев GaAs на неразориентированных подложках Si(100) с использованием буферного слоя Si. Показано, что использование упругонапряженного слоя In$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As и сверхрешеток In$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As/GaAs в сочетании с циклическим термическим отжигом позволяет получать относительно тонкие темплейты с гладкой поверхностью и плотностью дислокаций на поверхности $\sim$8 $\cdot$ 10$^7$ сm$^{-2}$. Гетероструктуры с квантовыми точками на основе таких буферных слоев демонстрируют фотолюминесценцию с $\lambda\approx$ 1250 nm при 300 K и временами жизни носителей, сравнимыми с таковыми для аналогичных структур на согласованных GaAs-подложках. Полученные результаты показывают возможность создания эффективных светоизлучающих гетероструктур с квантовыми точками на кремнии.

Ключевые слова: арсенид индия-галлия, квантовые точки в квантовой яме, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, просвечивающая электронная микроскопия, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 21.10.2025
Исправленный вариант: 03.12.2025
Принята в печать: 04.12.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.07.62516.20539