Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения

Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. И. Васильев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы образцы, полученные методом твердофазного замещения элементов пятой группы мышьяком в InP и фосфором в InAs в течение $\tau$ = 30 и 70 min при температурах $t$ = 585 и 655$^\circ$C. Согласно данным вторичной ионной масс-спектрометрии, элементы пятой группы проникали на глубину до 100 nm, для InP количество и глубина проникновения мышьяка при одинаковых $\tau$ и $t$ имели различия при разных типах легирования подложек.

Ключевые слова: твердофазное замещение, арсенид индия, фосфид индия, диффузия цинка, вторичная ионная масс-спектрометрия.

Поступила в редакцию: 01.11.2025
Исправленный вариант: 25.11.2025
Принята в печать: 29.11.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.06.62465.20554