Шумовая спектроскопия тока в ультрафиолетовых светодиодах на основе InGaN/GaN-структур с квантовыми ямами

А. М. Иванов, А. В. Клочков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Спектральная плотность низкочастотного токового шума резко возрастает и меняет характер зависимости от частоты при понижении температуры ниже 150 K, вплоть до температуры жидкого азота. Объяснения предложены на основе изменений в механизмах транспорта носителей и возрастания роли безызлучательной рекомбинации.

Ключевые слова: низкочастотный токовый шум, квантовые ямы, туннельное сопротивление.

Поступила в редакцию: 10.10.2025
Исправленный вариант: 10.10.2025
Принята в печать: 29.11.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.06.62464.20523