Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC

А. Д. Родиончикова, М. С. Дунаевский, Е. В. Гущина, С. Ю. Приображенский, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен метод регистрации фазы для визуализации областей однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC. Продемонстрировано латеральное разрешение метода регистрации фазы на уровне 5–10 nm, что значительно выше, чем у традиционно используемого метода кельвин-зонд-микроскопии. Метод регистрации фазы является однопроходным, что в разы ускоряет процесс получения изображений и снижает риск деградации кончика зонда.

Ключевые слова: сканирующая зондовая микроскопия, кельвин-зонд-микроскопия, метод регистрации фазы, графен, двуслойный графен, карбид кремния.

Поступила в редакцию: 02.10.2025
Исправленный вариант: 22.11.2025
Принята в печать: 23.11.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.06.62458.20513