Исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

Е. И. Теруков^abcd, О. К. Атабоев^e, Д. А. Малевский^a, И. Е. Панайотти^a, А. В. Кочергин^c, И. С. Шахрай<sup>d

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
^d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия
^e Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете им. Мирзо Улугбека, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Проведено исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов, выполненных на кремниевых подложках $n$- и $p$-типа, в широком диапазоне температур (от -100 до +100$^\circ$C). Наблюдаемое различие в поведении световых вольт-амперных характеристик объясняется особенностями энергетических зонных диаграмм гетероструктурного солнечного элемента на кремнии.

Ключевые слова: солнечный элемент на кремнии, гетероструктурный солнечный элемент, температурная зависимость вольт-амперных характеристик, $S$-образная форма вольт-амперной характеристики.

Поступила в редакцию: 21.10.2025
Исправленный вариант: 25.11.2025
Принята в печать: 26.11.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.06.62460.20540