Аннотация:
Проведен анализ характера изменения уровня поверхности монокристаллической подложки $c$-Ge, облучаемой ионами $^{209}$Bi$^{++}$ c энергией $E$ = 36 keV, при образовании тонких поверхностных слоев нанопористого Ge с ростом ионной дозы. Значения дозы варьировались от 2.0 $\cdot$ 10$^{14}$ до 4.0 $\cdot$ 10$^{16}$ ion/cm$^2$. Наблюдение морфологии поверхности образцов выполнено методами высокоразрешающей сканирующей электронной и зондовой микроскопии. Установлено, что при малых дозах до 1.0 $\cdot$ 10$^{15}$ ion/cm$^2$ происходит ионное распыление поверхности образца и образуется слой, состоящий из открытых поверхностных пор в виде ямок. С ростом дозы распыление сменяется распуханием поверхности с формированием нанопористой губчатой нитевидной структуры.
Полный текст:
PDF файл (1423 kB)