Индуктивная характеристика спинтронного наноосциллятора

Е. С. Папоян^a, Л. А. Цырульникова^ab, А. Р. Сафин<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», Москва, Россия
^b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлен анализ индуктивной характеристики спинтронного наноосциллятора с легкой плоскостью намагниченности свободного слоя, основанный на исследовании его малосигнальной эквивалентной схемы колебательной системы. Определена зависимость эффективной индуктивности от силы тока и построены индуктивные характеристики для различных значений внешнего магнитного поля. Показано, что с ростом величины внешнего магнитного поля крутизна индуктивной характеристики спинтронного наноосциллятора увеличивается. Представленные результаты могут быть использованы при проектировании радиотехнических моделей спинтронных генераторов, а также в разработке новой компонентной базы современной радиоэлектроники.

Ключевые слова: спинтронный наноосциллятор, прецессия намагниченности, индуктивность, радиоэлектронная модель, малосигнальный режим.

Поступила в редакцию: 03.10.2025
Исправленный вариант: 28.10.2025
Принята в печать: 10.11.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.05.62334.20514