Оптическая ширина запрещенной зоны литированного композита Si@O@Al

А. С. Рудый, А. А. Мироненко, В. В. Наумов, С. В. Курбатов, А. Б. Чурилов, О. В. Савенко

Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, Ярославль, Россия

Аннотация: Приведены результаты измерения оптической ширины запрещенной зоны анодного композитного материала Si@O@Al:Li$_x$ ($x$ = 0, 5 и 9 at.%). По результатам измерения спектров поглощения тонких пленок Si@O@Al:Li$_x$ на кварцевой подложке построены графики Тауца и определены значения оптической ширины запрещенной зоны. Полученные значения $E_{g1}$ = 1.52 eV, $E_{g2}$ = 1.15 eV для $x$ = 0 at.%, $E_{g1}$ = 1.93 eV, $E_{g2}$ = 1.65 eV для $x$ = 5 at.% и $E_{g1}$ = 1.85 eV, $E_{g2}$ = 1.62 eV для $x$ = 9 at.% отнесены к переходам зона–зона и примесь–зона. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны при увеличении $x>$ 0 объясняется эффектом Бурштейна–Мосса.

Ключевые слова: анодный материал, вырожденный полупроводник, ширина запрещенной зоны, диаграмма Тауца.

Поступила в редакцию: 26.08.2025
Исправленный вариант: 14.10.2025
Принята в печать: 22.10.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.04.62323.20483