Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке

В. Н. Бессолов^a, М. Е. Компан^a, Е. В. Коненкова^a, Ш. Ш. Шарофидинов^a, А. В. Соломникова^b, М. П. Щеглов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Эпитаксиальный рост объемных полуполярных AlN-слоев методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на наноструктурированной подложке кремния (NP-Si(001)) исследован методами рентгеновской дифрактометрии, атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Полуполярный слой эпитаксиально был выращен при высоких скоростях роста в атмосфере аргона, отделен от подложки, имел толщину 140 $\mu$m и полуширину кривой рентгеновской дифракции AlN$(10\bar 11)$ $\omega\theta$ = 60 arcmin. Обнаружено, что объемный полуполярный слой AlN имеет меньшую величину растяжения после удаления подложки, чем слой на подложке NP-Si(100).

Ключевые слова: объемный полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 16.09.2025
Исправленный вариант: 16.09.2025
Принята в печать: 15.10.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.04.62321.20500