Влияние параметров $p$–$n$-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения

М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, А. Д. Малевская, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения величина токов насыщения $p$–$n$-переходов критически влияет на процессы растекания тока между контактными полосками и, как следствие, во многом определяет выбор оптимальной конструкции лицевой контактной сетки. Проведен расчет оптимальных конструкций контактных сеток для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с различной шириной запрещенной зоны $E_g$ при варьировании величины сопротивления слоя растекания $R_{SHEET}$ и ширины контактных полосков $W_m$.

Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, солнечные элементы, сопротивление растекания, сопротивление контактов.

Поступила в редакцию: 23.07.2025
Исправленный вариант: 08.10.2025
Принята в печать: 09.10.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.04.62317.20452