Аннотация:
Определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$As (AlGaAs) с концентрацией алюминия $x$ от 0 до 0.2 посредством аппроксимации спектров квантового выхода фотоответа однопереходных солнечных элементов c фотоактивными слоями из AlGaAs. Проведены расчеты спектров внешнего квантового выхода фотоответа для субэлементов GaInP, AlGaAs и Si гибридных GaInP/AlGaAs//Si солнечных элементов космического назначения. Показано, что GaInP/AlGaAs//Si солнечные элементы обеспечивают КПД на уровне 33.5% (1 sun, AM0) при полном собирании носителей из базового слоя AlGaAs-субэлемента и концентрации алюминия $x$ = 0.1, 33% (1 sun, AM0) при использовании градиентного состава в базовом слое и средней концентрации алюминия $x$ = 0.08 и 32.8% (1 sun, AM0) при использовании постоянной концентрации алюминия $x$ = 0.08.
Полный текст:
PDF файл (420 kB)