Влияние увеличения радиуса гетероструктуры на профиль гетероперехода IIIV$_x$V$_{1-x}$ нитевидных нанокристаллов

Е. Д. Лещенко^a, В. Г. Дубровский<sup>b

a</sup> НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено теоретическое исследование процесса формирования осевой гетероструктуры в нитевидных нанокристаллах IIIV$_x$V$_{1-x}$ и рассчитаны профили состава. Рассмотрен случай, когда радиус нитевидного нанокристалла меняется во время роста. Показано, что для тонких наноструктур при увеличении радиуса резкость гетероперехода меняется незначительно. Эффект становится заметным при высокой скорости радиального роста или для наноструктур, имеющих большой радиус. Показано, что увеличение радиуса наноструктуры во время роста приводит к формированию более резкого гетероперехода, что особенно ярко проявляется у наноструктур с большим радиусом.

Ключевые слова: моделирование, нитевидные нанокристаллы, гетероструктуры III–V–V, профиль гетероперехода.

Поступила в редакцию: 03.09.2025
Исправленный вариант: 03.10.2025
Принята в печать: 03.10.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.03.62182.20488

Реферативные базы данных:

•