Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si

Л. Н. Дворецкая^a, А. М. Можаров^a, В. С. Волосатова^a, В. В. Федоров^ab, А. К. Кавеев^ac, Д. В. Минив^a, И. С. Мухин<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассматривается светоизлучающее полупроводниковое устройство на основе системы материалов GaP/GaPNAs/GaP, работающее в красно-оранжевом спектральном диапазоне. Представлено численное моделирование растекания тока в рассматриваемой системе материалов, а также экспериментальные данные, демонстрирующие электролюминесценцию в красном диапазоне частот. Показано, что для $p$–$i$–$n$ GaP/GaPNAs/GaP-гетероструктуры при формировании приборных светоизлучающих областей не требуется создания разделительных мез, так как область эмиссии света в большей степени ограничивается областью верхнего электрода, что существенно упрощает технологический процесс изготовления светодиодов.

Ключевые слова: GaPNAs на Si, GaP на Si, текстурирование GaP(N,As), матричные светодиоды, кремний, полупроводники.

Поступила в редакцию: 28.08.2025
Исправленный вариант: 23.09.2025
Принята в печать: 24.09.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.03.62175.20485

Реферативные базы данных:

•