Аннотация:
Предложен метод отделения пористого слоя кремния (ПК) от подложки без его деформации, практически исключающий его деградацию во времени. Измерены ВАХ ПК в температурном диапазоне 255–300 K. Впервые выполнены прямые измерения проводимости и установлен ее активационный характер при прохождении тока параллельно поверхности ПК.