Эта публикация цитируется в 1 статье

Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs

В. М. Микушкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N$_2^+$ с энергией $E_i$ = 2.5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные $E_A$(GaN) = 379.8 $\pm$ 0.2 eV и $E_A$(GaAsN) = 382.8 $\pm$ 0.2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N(GaN)] = 70% и [N(GaAsN)] = 30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника.

Поступила в редакцию: 02.08.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:12, 1136–1139

Реферативные базы данных:

•