В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, П. Н. Брунков, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, “Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 24,страницы 33

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе

В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, П. Н. Брунков, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование роста AlN на полупромышленной МОС-гидридной установке AIX2000HT. Продемонстрировано, что зависимость скорости роста от потока аммиака носит пороговый характер, что обусловлено возникновением паразитных реакций в газовой фазе. При оптимизированных режимах эпитаксиального роста продемонстрирована возможность выращивания AlN в планетарном реакторе со скоростью до 8.6 $\mu$m/h.

Поступила в редакцию: 12.07.2010