Расчет потенциала и электронной плотности для напряженной полупроводниковой квантовой точки

Р. М. Пелещак^a, И. Я. Бачинский^a, Г. Г. Зегря<sup>b

a</sup> Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В рамках нелинейной модели Пуассона для напряженной полупроводниковой квантовой точки рассчитано распределение электростатического потенциала, напряженности электростатического поля и электронной плотности с учетом деформационного потенциала, возникающего вследствие несогласованности параметров решетки квантовой точки и матрицы.

Поступила в редакцию: 21.06.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:12, 1118–1120

Реферативные базы данных:

•