Эта публикация цитируется в 3 статьях

Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe

К. Д. Мынбаев^a, Н. Л. Баженов^a, В. И. Иванов-Омский^a, А. В. Шиляев^a, В. С. Варавин^b, Н. Н. Михайлов^b, С. А. Дворецкий^b, Ю. Г. Сидоров<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наногетероструктур Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ширина потенциальных ям в структурах варьировалась от 12 до 200 nm при составе в яме $x\sim$ 0.25–0.40 и в барьерных слоях $y\sim$ 0.68–0.82. В структурах с ямами шириной 33 nm и менее наблюдались переходы между уровнями размерного квантования носителей. В структурах с ямами шириной более 50 nm наблюдалась ФЛ экситонов, локализованных флуктуациями состава, характерная для эпитаксиальных слоев Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te толщиной более 3 $\mu$m. Показано влияние на уширение пика экситонной ФЛ Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te не только стохастических флуктуаций состава, но и его макроскопических неоднородностей.

Поступила в редакцию: 11.07.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36, 1099–1102

Реферативные базы данных:

•