К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, М. В. Якушев, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 23,страницы 39

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si

К. Д. Мынбаев^a, Н. Л. Баженов^a, В. И. Иванов-Омский^a, В. А. Смирнов^a, М. В. Якушев^b, А. В. Сорочкин^b, В. С. Варавин^b, Н. Н. Михайлов^b, Г. Ю. Сидоров^b, С. А. Дворецкий^b, Ю. Г. Сидоров^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Показано, что разупорядочение твердого раствора в данных слоях не превышает разупорядочения в слоях, выращенных этим же методом на подложках из GaAs. В спектрах люминесценции слоев CdHgTe на подложках из Si наблюдались линии, свойственные структурно-совершенному материалу, в частности, полосы донорно-акцепторной рекомбинации и рекомбинации экситона, связанного на примеси.

Поступила в редакцию: 29.06.2010