С. А. Блохин, А. М. Надточий, А. А. Красивичев, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Оптическая анизотропия InAs квантовых точек”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 23,страницы 24

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Оптическая анизотропия InAs квантовых точек

С. А. Блохин^a, А. М. Надточий^a, А. А. Красивичев^a, Л. Я. Карачинский^a, А. П. Васильев^a, М. В. Максимов^a, А. Е. Жуков^a, Н. Н. Леденцов^ab, В. М. Устинов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b VI Systems GmbH, Hardenbergstrasse 7, Berlin, 10623, Federal Republic of Germany

Аннотация: С помощью спектроскопии фотолюминесценции проведены поляризационные исследования InAs квантовых точек (КТ), синтезированных с помощью непрерывного либо субмонослойного осаждения InAs на сингулярной поверхности GaAs (100). Обнаружено, что изолированный массив КТ, сформированных в режиме непрерывного осаждения, обладает слабой ($<$ 1–2%) оптической анизотропией, тогда как вертикальное совмещение подобных КТ (спейсерные слои менее 15 mm) приводит к 8%-ной линейной поляризации вдоль кристаллографического направления [011]. В случае КТ, сформированных в режиме субмонослойного осаждения, выявлена сильная (17–20%) оптическая анизотропия излучения с основного и возбужденных состояний КТ вдоль кристаллографического направления [011].

Поступила в редакцию: 30.07.2010