В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, В. С. Сизов, А. Л. Закгейм, А. Е. Черняков, А. Ф. Цацульников, “Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 22,страницы 89

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm

В. В. Лундин^ab, А. Е. Николаев^ab, А. В. Сахаров^ab, Е. Е. Заварин^ab, С. О. Усов^ab, В. С. Сизов^ab, А. Л. Закгейм^ab, А. Е. Черняков^ab, А. Ф. Цацульников^ab

^a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Описан новый метод формирования активной области высокоэффективных InGaN/GaN/AlGaN светоизлучающих диодов длинноволнового зеленого диапазона. Показано, что введение в конструкцию эпитаксиальной гетероструктуры непосредственно под излучающей квантовой ямой короткопериодной InGaN/GaN сверхрешетки, зарощенной слоем нитрида галлия при пониженной температуре, позволяет более чем на порядок повысить эффективность излучения. На собранных диодах значения максимальной квантовой эффективности и соответствующей ей длины волны излучения составили 12% и 552 nm и 8% и 560 nm соответственно.